利用微波ECR等离子体增强磁控溅射沉积技术在玻璃表面制备了硅膜.
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High k Gate Dielectric ZrO_2 Thin Films on SOI Substrate with Ultra-Thin Top Silicon
超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO2的性能
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从简化步骤、降低成本的角度出发,采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在低纯颗粒带硅(SSP)衬底上制备出了多晶硅薄膜太阳电池。
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对应更高的衬底温度,因薄膜中的氢不能完全中止纳米晶粒界面的悬键,使薄膜能带带尾加宽。
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用微弧氧化的方法在铸造铝-硅合金基体上获得陶瓷层.
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Residual stress measurement of porous silicon thin film by substrate curvature method
基片曲率法在多孔硅薄膜残余应力检测中的应用
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本文论述了薄膜磁敏元件对基片的要求,依此要求选择硅和高密度铁氧体为基片,上面制备SiO2作绝缘膜。
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结果表明,多孔氧化硅和PET塑料可有效降低热释电元件的对外热传导,明显提高传感器的电压响应率和降低热释电元件的热噪声。
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以单晶硅片为靶材,高纯Ar和O2分别为溅射气体和反应气体,采用反应磁控溅射法在铝基体上制备了硅氧化物薄膜。
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在乙胺和水的混合蒸汽相中,首次通过载体自转晶,在多孔玻璃表面原位合成了B-Al-MFI型沸石膜。
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研究表明,催化剂浓度升高或采用二氧化硅替代P型硅为生长基底时,都会导致单壁碳纳米管生长的密度加大,而碳纳米管长度变短且更易贴附基底表面生长;
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衬底pn结间隔能用标准硅工艺实现而不需另外的工艺。
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PZT薄膜在基体Pt/Ti/SiO2/Si(100)上用溶胶一凝胶法制备,然后在600℃下退火。PZT微力传感器完全由MEMS体硅加工工艺来实现。
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在不同的负直流衬底偏压下,用脉冲激光沉积法在单晶Si和K9玻璃衬底上沉积水晶碳膜。
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在氧气氛中退火时,衬底也会轻度氧化,从而导致在ZnO/SiC界面处存在一层很薄的Si的氧化层。
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