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IGBT（绝缘栅控双极型晶体管）是电力电子技术中的主流开关功率器件，由于开通／关断速度快、通态压降小等优点，在电力电子装置中得到广泛的应用。
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A class E amplifier can be constructed using either bipolar transistor or MEMS switch.
分析一种基于E类放大器新型逆变拓扑结构，并且详细分析了该电路的特征。
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电源主电路是单电源供电，采用输出功率较大的全桥双逆变结构，比较地选取绝缘栅双极型晶体管IGBT作为主控开关功率转换器件。
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采用PIN管实现了隔离开关的隔离度，并通过三极管间接控制PIN管的偏置提高了测试速度。
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Insulated Gate Bipolar Transistor ( IGBT ) as controllable switch, has been applied widely.
绝缘栅双极二级管 ( IGBT ) 作为一种可控开关, 获得了广泛应用.
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