采用可控硅开关元件和大功率三极管放大元件相结合的方案,得到稳定大电流脉冲方波激光电源,脉冲电流可达80A,平顶电流波动小于2%。
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一种软开关双主单辅有源钳位不对称双管正激变流器新型交错并联双管正激单级PFC变换器的技术研究
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本文分析了两路交错并联双管反激变流器的工作模式,采用开关平均法建立了电流断续模式(DCM)下的变流器小信号模型。
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当时IBM生产晶体管(而非基于开关或真空管的)电脑已有数年时间,并发明了可随机访问的磁盘存储器。
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A class E amplifier can be constructed using either bipolar transistor or MEMS switch.
分析一种基于E类放大器新型逆变拓扑结构,并且详细分析了该电路的特征。
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电源主电路是单电源供电,采用输出功率较大的全桥双逆变结构,比较地选取绝缘栅双极型晶体管IGBT作为主控开关功率转换器件。
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采用PIN管实现了隔离开关的隔离度,并通过三极管间接控制PIN管的偏置提高了测试速度。
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IGBT(绝缘栅控双极型晶体管)是电力电子技术中的主流开关功率器件,由于开通/关断速度快、通态压降小等优点,在电力电子装置中得到广泛的应用。
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运用了晶体三极管的开关特性和无线收发技术,实现了低功耗和便携的要求,同时运用软件方法实现了信号的快速提取。
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Insulated Gate Bipolar Transistor ( IGBT ) as controllable switch, has been applied widely.
绝缘栅双极二级管 ( IGBT ) 作为一种可控开关, 获得了广泛应用.
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其内部电路设计有控制输入级 、 电平转换级 、 高速模拟开关管及静电保护电路.
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