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采用将反应物沉淀后涂层及高温固相反应,在石英玻璃衬底上沉积了Cu/Al原子比不同的p型透明导电铜铝氧化物。
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研究表明,催化剂浓度升高或采用二氧化硅替代P型硅为生长基底时,都会导致单壁碳纳米管生长的密度加大,而碳纳米管长度变短且更易贴附基底表面生长;
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Digoxin-Labelled P-type Pili Gene Probe for the Detection of Escherichia coli Strains from Chickens
地高辛标记P菌毛基因检测探针鸡大肠杆菌
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另一方面,制备高质量的p型ZnO材料仍是一世界性研究难题,这极大程度上阻碍了ZnO同质pn结器件的发展。
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Ion implantation is one of available methods to gain N-type or P-type doped diamond materials.
离子注入是获得金刚石N型或P型导电材料的有效途径之一。
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方法:利用P型迭代学习控制方法,对正常人和偏瘫患者上肢肘关节运动角度分别进行了运动反馈控制研究。
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P型金属氧化物半导体的掺杂量会影响纳米薄膜气敏元件对硫化氢的灵敏度。
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p-型FeSi2/Bi2Te3梯度热电材料的优值推证与界面温度优化
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结果表明,一阶P型开闭环学习控制能够很好实现仿生腿对人工腿步态的跟踪。
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空穴在动量空间分布对p型量子阱红外探测器响应光谱的影响
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氧化钻(Ⅱ,Ⅲ)是一种重要的功能p型半导体材料,其普遍应用于锂离子电池、催化剂、气体传感器、电致变色、场发射以及光学、磁学等诸多领域中。
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Dynamic Performance of P-Type Double Eccentric-Pieces Advancer in Vehicle Diesel Engine
车用柴油机P型双偏心式提前器动态特性研究
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在IFN治疗前,有BCP变异组抗IFN阳性10例,野生株组抗IFN阳性2例,两组相比,差异显著(P
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Semiconductors containing such impurities are called p-type semiconductors.
含有这类杂质的半导体叫做P型半导体.
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However, B-nickel hydroxide is a low conductivity P-type semiconductor.
但是球型氢氧镍是P型的半导体, 放电容量不高.
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在掺杂剂附近的碳原子上出现较大的电荷密度,且p型比n型掺杂剂的影响更大。
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神经肽P物质促进高氧诱导的胎鼠肺泡Ⅱ型上皮细胞转分化
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同磁控溅射法相比,热蒸发法在不掺杂的情况下,不仅制备出了具有n型导电特性的CuO薄膜,而且制备出了具有p型导电特性的CuO薄膜。
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Ca3Co2O6是一个P型半导体材料,它的热电性能和Co的其它的氧化物热电材料性能不相上下。
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NiO is a p-type transparent conductive oxide with typical 3d electron structure.
NiO是具有典型3d电子结构的金属氧化物,也是一种P型半导体材料。
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而通过在薄膜中掺杂受主元素,可以获得P型半导体薄膜,从而对于发展具有P-N结结构的半导体材料有重大帮助。
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主要介绍NY-102便携式超声波P扫描成象仪的成象原理、工作特点及其功能实现的计算机程序设计方法,并给出了实验测试结果。
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研究了垂直层叠和p型掺杂对量子点激光器性能的改善,并讨论了获得极小阈值电流密度时的最佳量子点密度。
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The structure model P-type K 2 CsSb + intrinsic Cs 3 Sb have been proposed.
提出了P型K_2CsSb+本征Cs_3Sb的结构模型.
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当半导体中加入了施主感受主杂质,我们就说该物质“掺杂”了.
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生长纳米金刚石膜所用的硅衬底为p型单晶硅,气源为CH4和H2,石英管生长室内的气压控制在7Torr左右,钨丝的温度为2200℃左右,衬底与钨丝间距为7mm。
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典型的CdTe/CdS薄膜太阳电池是由N型的CdS层以及P型的CdTe层构成的异质结组成。
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对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了p型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等。
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由于二氧化钛纳米管具有p型传导特性,可以显著增大空穴传输层中载流子的迁移率。
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Dietl et al. predicted that p type Mn doped ZnO could have ferromagnetism at room temperature.
Dietl等人的理论计算预测,p型掺杂(Zn, Mn)O可能具有室温铁磁性.
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