1、
由此可以推断出，低温硅（LT-Si）缓冲层中点缺陷对失配位错运动具有阻碍作用。
互联网摘选
2、
Conditions for formation of misfit dislocation in epitaxial films& a molecular dynamics study
外延生长薄膜中失配位错形成条件的分子动力学模拟研究
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3、
The results appear a relation between the formation of misfit dislocation and dynamics conditions.
模拟结果表现了失配位错的形成现象与动力学条件的关系.
网络文摘精选
4、
失配性质对面心立方外延晶体失配位错结构及其形核机制的影响
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