晶体的X射线衍射表明,Mg:Mn:LiNbO3晶体的晶格缺陷在掺镁量没有达到阈值浓度时,随掺镁量的增大而逐渐增大,当掺镁量达到阈值浓度时又有下降的趋势;
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为了释放因晶格失配产生的应力,以降低在GaN外延膜中引起的缺陷密度,我们对蓝宝石衬底采用了氢等离子体清洗、氮等离子体氮化以及低温生长缓冲层的方法。
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讨论了高温超导体中普遍存在的缺陷、不均匀性 、 晶格失配及其应力钉扎等问题.
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晶体的X射线衍射表明,Mg:Mn:LiNbO3晶体的晶格缺陷在掺镁量没有达到阈值浓度时,随掺镁量的增大而逐渐增大,当掺镁量达到阈值浓度时又有下降的趋势;
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为了释放因晶格失配产生的应力,以降低在GaN外延膜中引起的缺陷密度,我们对蓝宝石衬底采用了氢等离子体清洗、氮等离子体氮化以及低温生长缓冲层的方法。
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讨论了高温超导体中普遍存在的缺陷、不均匀性 、 晶格失配及其应力钉扎等问题.
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