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We researched mainly on Gate Turn-off Thyristor in qualitative analysis before.
以往对门极可关断晶闸管电流放大系数的研究主要集中在定性分析。
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门极换流晶闸管（GCT）是在GTO的基础上开发的一种新型大功率半导体器件，有广阔应用的前景，目前在国内尚属空白。
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输电走廊调制器串级相互有关的移相器注入模块可关断晶闸管
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Transient Turn-off Fast Relaxation of Complementary Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor
互补型横向绝缘栅双极晶体管的截止瞬态快速弛豫
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阐述了软降栅压和软关断的过电流保护原理，列出具体的保护时序参数。
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研制出He离子注入局域寿命控制SOI横向绝缘栅双极晶体管（SOI－LIGBT），有效地提高了器件的关断速度，且与集成电路工艺相兼容。
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