1、

The Door Calculation of Distance between Rectangular Track and Edge of Gate Groove

水工闸门矩形轨道门槽边距的计算

互联网摘选

2、

The thin film thickness of SOI Groove gate MOS devices affects the threshold voltage, sub-threshold slope and saturation driving current severely. So, it's a very important factor for good device characteristics to optimize the thin film thickness.

仿真结果显示硅膜厚度对SOI槽栅MOS器件的阈值电压、亚阈值特性和饱和驱动能力都有较大影响,选择最佳的硅膜厚度是获得较好的器件特性的重要因素。

互联网摘选

3、

Development of 200A, 1200V Light Triggered Triacs with a Center Cone-Shaped Groove Light Sensitive Gate

中心锥形槽状光敏门极的200A,1200V光控双向晶闸管的研制

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