为了在尽量提高击穿BV(GSO)(BV(GKO))的同时,能够保证良好的Ⅰ-Ⅴ特性,我们做了大量的实验。
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三种电极结构引入脉冲高压可以提高电极间的击穿电压,并使流光放电更加稳定,产生瞬间的高能粒子,从而提高甲苯和氯苯的脱除效率。
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结果表明,适量的Ag掺杂对材料的室温电阻率(r)影响不大,并且还可以有效提高PTCR陶瓷的温度系数(aR)和耐电压(Vb)。
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本文针对VD-MOSFET击穿电压,采用场限环终端结构的耐压设计,并进行了综合分析。
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介绍了采用MCS-8031单片机的变压器绝缘油击穿电压测试仪的工作原理、硬件组成和软件设计,分析了测量误差和减少误差的措施。
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与传统的槽栅器件结构相比,新结构在相同的漂移长度和导通电阻下,击穿电压提高了30V,并表现出优异的频率特性。
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实验结果表明该结构可用于制造各种功率静电感应器件,其优点是具有高的击穿电压和高的阻断增益,并讨论了平面型埋栅结构的主要特点和制造工艺。
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选择TVS芯片对SCB火工品进行电磁防护时,在满足击穿电压高于发火电压的情况下,应尽量选择结电容较大、寄生电阻较小的芯片。
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但就制备高反向击穿电压的微波PIN二极管而言,这些工艺已不能满足要求。
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试验结果证明,触头间隙的击穿电压是触头间距的非线性函数。
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一般情况下,在常温试验条件下测得的变压器油击穿电压值不能代表其在低温环境下的击穿电压水平。
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此种漆液涂制而成的漆包线具有出色的耐热性,玻璃化转变温度可达293℃,软化击穿温度和击穿电压明显高于240级芳族聚酰亚胺漆包圆线国家标准。
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From this analysis, the optimum design condition for the maximum breakdown voltage is obtained.
在此基础上,推出了为获得最大击穿电压的优化条件。
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该器件的驱动电流,击穿电压,跨导、增益和截止频率等性能指标明显优于传统LDMOS结构,而且工艺上仍可以与标准CMOS工艺兼容,工艺复杂度增加不大,阈值电压的设计也更加容易。
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指出,通过合理的设计可以使该种新器件具有很低的截止态高温泄漏电流,很高的截止态击穿电压,足够大的正向导通电流和足够低的正向导通压降。
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