high-level integrated optoelectronic devices and high-speed and long-haul wavelength division multiplexing ( wdm) transmission system are involved in the techniques of all-optical signal processing.

  • 全光信号处理中需要高集成度的光电子器件和高速长距离的波分复用(wavelength division multiplexing,WDM)传输系统的技术。
  • 来源:互联网摘选更新时间:2026-07-13 15:32:53

  • 重点词汇
  • processingn.(数据)处理;整理;配置;工艺(生产方法)设计;
  • transmission system传输系统;传动系统;输电系统;变速箱系统
  • multiplexingn.复用;倍增,倍加;
  • theart.这个;指已提到或易领会到的人或事物;指独一无二的、正常的或不言而喻的人或事物;用以泛指;与形容词连用,指事物或统称的人;用于姓氏的复数形式前,指家庭或夫妇;(指特定用途的事物)足够,恰好;每,一;当前的,本,此;(重读,表示所指的为知名或重要的人或事物)
  • long-hauladj.长途的;长运距的;长时间的;长远的;
  • involved in参与其中
  • OFabbr.Old French 古法语;
  • integratedadj.完整的;整体的;结合的;(各组成部分)和谐的;
  • 相关例句
1、

this study provides a new guidance for development of ppv in optic-electric devices.

我们的研究为PPV在光电子器件领域的发展提供了新的参考。

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2、

soi-based optoelectronic devices

SOI集成光电子器件

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3、

the application of focused ion beam etching to optoelectronic devices

聚焦离子束(FIB)刻蚀在光电子器件方面的应用

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4、

well-aligned zno nanorod or nanowire arrays are highly desirable for potential applications in large-area, low-cost and high performance optoelectronic devices.

良好取向的ZnO纳米线或纳米棒阵列有望在大面积、低成本和高性能光电子器件有广泛应用前景。

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5、

as an important wide band-gap semiconductor, zno nanostructures exhibit excellent optical properties and have great potential for optoelectronic applications.

ZnO纳米结构作为一种重要的宽禁带半导体材料,具有优异的光电性质,在光电子器件等领域有广阔的应用前景。

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6、

position sensitive detector ( psd) is a photoelectric device utilizing the lateral photoelectric effect.

位置敏感传感器(position sensitive detector,PSD)是一种基于横向光电效应的光电子器件。

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7、

flip-chip interconnect technology in optoelectronics device packaging

倒装芯片互连技术在光电子器件封装中的应用

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8、

influence of carrier lifetime on silicon-based optoelectronics devices

载流子寿命对Si基光电子器件性能的影响

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9、

the photonic band gaps and modes of high-index core bragg fibers were investigated by superlattice model accompany with plane wave method.

应用平面波法得到了Bragg光纤中光子能带结构;应用全矢量模型分析了高折射率芯Bragg光纤中的模式。

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10、

investigation on the band structures of some al_2cu and crsi_2-type compounds

某些Al2Cu型和CrSi2型化合物的能带结构研究

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11、

semi conducting properties of zno varistor, structure of its energy band and conductive mechanism of grain bounder energy band were analyzed.

分析了ZnO晶粒半导特性、ZnO压敏电阻晶界能带结构及晶界能带导电的机理。

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12、

theoretical study on the electronic structures for the surfaces of nbc solid

NbC固体表面能带和电子结构的理论研究

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13、

the bond lengths and their effects on the electronic energy band structures in the

Ge_xSi_(1-x)合金中的键长及其对电子能带结构的影响

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14、

effects of kerr nonlinearity on the band-gap structure of one-dimensional photonic crystals

Kerr非线性对一维光子晶体能带的影响

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15、

analysis on photocatalytic activity and surface energy band structure of ( ag, nd)/ tio_2 nanometer materials

(Ag,Nd)/TiO2纳米材料光催化活性及其表面能带结构分析

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16、

studies of photonic band gap in the face-centered cubic lattice of non-closed-packed hollow spheres

空心球非密堆积fcc结构光子晶体能带结构的研究

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17、

energy band structure and conducting characteristics of ito films

ITO薄膜的能带结构和电导特性

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18、

ab initio band calculations of transition metals doped rutile tio_2

过渡金属掺杂金红石相TiO2能带结构的第一性原理计算

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19、

two-dimensional phononic energy bands calculations by fdtd combined with high-resolution spectral estimation

用FDTD与高分辨率谱估计相结合计算二维声子晶体的能带

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20、

abnormal band structure and optical properties of ga ( in) nas

Ga(In)NAs材料的异常能带结构与光学特性

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