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应用质子直线加速器进行了静态随机存取存储器（SRAM）的单粒子效应模拟实验研究。
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分析了在激光模拟单粒子效应试验中激光波长、束斑大小、脉冲能量、脉冲宽度等脉冲激光参数对阈值能量的影响。
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暴露于辐射环境中的电源芯片在单粒子瞬变（Single Event Transients，SETs）作用下，将产生输出电压跳变，长时间偏离正常供电电平的情况。
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