1、
固相外延CoSi2薄膜作为扩散源形成n~＋p浅结技术研究
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2、
A Surface Process on Silicon Chip Suitable for LSI and Shallow Junction Device
一种适于LSI及浅结器件的硅片表面加工技术
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3、
Ultra-shallow Junction Used in Nano Devices and Development of Related Ion-doping Techniques
纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展
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4、
本文讨论了高速双极器件制造中的离子注入技术。重点讨论在双极器件制造工艺中的离子注入掺杂技术，离子注入形成浅结技术，以及离子注入层的退火技术。
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5、
LDD ultra shallow junction can be reachec by low energy and high dose implant.
可以通过低能量,高剂量的等离子注入来实现LDD超浅结(ultrashallowjunction).
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6、
