根据实验结果,结合实际工艺条件,本文研制了具有结终端场限环保护的高压Mo/4H-SiC肖特基势垒二极管,根据实验结果指出此种平面结终端保护结构是很有效的。
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对细线结构、环结构、分支结构、对称振子天线、八木天线、对数周期天线进行了精确的建模和数值仿真。
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根据实验结果,结合实际工艺条件,本文研制了具有结终端场限环保护的高压Mo/4H-SiC肖特基势垒二极管,根据实验结果指出此种平面结终端保护结构是很有效的。
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