首先,借助正规摄动方法,得到了原问题的外部解。
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Regular Perturbation Method for Studying the Subthreshold Characteristics of Nano-Scaled MOSFETs
摄动法研究纳米MOSFETs亚阈值特性
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首先,利用正规摄动方法构造问题的外部解的展开式;
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基于正则摄动方法的等厚环肋传热近似分析
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本文用摄动法求解了二维正棱柱体在静止流体中固有频率的近似解,从而避免了直接求其精确解所遇到的困难。
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对于抽象空间中带有双方扰动的紧算子方程,借助文献[2]所建立的正则化模式,通过先验选取正则参数,给出一种优化的正则解。
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用摄动法求静止流体中二维正棱柱体固有频率的近似解
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