1、

The photoconduction response under strong electric field is discussed.

本篇只讨论强电场下的光电导响应.

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2、

Influence of a Trap on Photoconduction

光电导过程中陷阱的影响

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3、

The exponential gain, the diffractive efficiency, the response time, photoconduction and signal to noise ratio or the crystals were measured.

测试晶体的指数增益系数、衍射效率、响应时间、光电导和信噪比。

互联网摘选

4、

I-V curve of GaAs photoconduction detector irradiated by double beams of proton

双束质子辐照砷化镓光电导探测器的I-V特性

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5、

The abnormal photoconduction response of α-si: h films with sandwich structure

在夹心结构α-Si:H膜中的反常光电导响应

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6、
7、

THE DYNAMICS IN PHOTOCONDUCTION RESPONSE OF AMORPHOUS SILICON(ⅰ) The Photoconduction Response under Strong Electric Field

非晶硅光电导响应的动力学研究(Ⅰ)&强电场下的光电导响应

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