The simulation study of the tunneling effect in the breakdown of 4H-SiC pn junction diode
4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究
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Studies on the Thermal Damage Mechanisms of a PIN Junction Optoelectronic Diode by Laser
激光对PIN结光电二极管热破坏机理的研究
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采用工业标准06μM CMOS工艺设计了以反向击穿硅pn结为基础的光发射器件。
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随着稳压管PN结温度的变化,其稳定电压值会发生相应的漂移,从使用上来说其变化值越小稳压性能越好。
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半导体二极管是由一个PN结加上相应的引出端并封装管壳构成的.
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作为半导体激光器组件的重要一部分,热电制冷器(TEC)工作特性的模拟对激光器组件的设计与优化有着重要的意义。
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Thermal Characteristic Simulation of Dual-wavelength Laser Diode Cascaded by Tunnel Junction
隧道带间级联双波长半导体激光器热特性模拟
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