然而随着杂质含量的降低,抗拉强度与屈服强度均得到了提高,并且加工硬化能力有所下降。
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采用无氧的多晶硅扩散掺杂工艺制作SCB芯片能保持电阻稳定一致,能满足阻值要求,而且这种扩散工艺导致芯片杂质浓度的梯度正好有利于SCB点火装置发火能的降低。
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为了提高转移效率,CCD移位寄存器采用埋沟CCD,并且发现,降低埋沟中的杂质浓度是提高器件在77K液氮工作温度下的转移效率的一种有效方法。
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随着掺杂浓度的增加,中性杂质散射作用增强。
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利用在线富集技术测定药物佐米曲坦和盐酸美西律中的痕量杂质.
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考察了吸收液浓度、温度、PH、催化剂量和杂质离子对再生反应的影响。
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高浓重水电解过程中杂质氢的动态变化方程与计算方法
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随着掺杂浓度的增加, 中性杂质散射作用增强.
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