The flow stress was evaluated the average dislocation density of the matrix and all the R-grains.
流变应力的大小可由基体与再结晶晶粒位错密度的平均值计算.
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加工硬化后试样的X衍射分析显示,在喷丸处理条件下,高锰钢的加工硬化机制为位错理论和孪晶硬化理论,没有诱发马氏体相变。
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The threading dislocation density is reduced to almost zero in the area on mask.
在SiO2掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度)减少到几乎为零。
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分析了闭塞冷锻半轴齿轮残余应力分布不均的原因,研究了位错密度的分布,并用位错理论说明了材料硬化的微观原因。
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数值方法为采用积分变换和位错函数法将问题简化为Cauchy奇异积分方程,最后给出数值结果,讨论了载荷耦合参数、材料分布形式和裂纹位置等因素对断裂行为的影响。
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大变形轧制细化、破碎板条马氏体,并进一步增加了组织中的位错密度;
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结果表明,冷拔态的铋黄铜,由于β相沿着冷加工方向分布,同时位错密度和残余应力的增加,导致了其耐脱Zn腐蚀性能比热轧态的黄铜和铸造态的黄铜差。
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采用CZ法拉制晶向为Ge单晶,利用化学腐蚀和金相显微镜研究Ge单晶中位错密度、位错坑形态发展过程。
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随着位错密度的增加,主应变最大值随后续挤压道次的增加呈增大趋势.
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贝氏体中位错密度较低,不利于合金碳化物的聚集粗化.
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实验表明:材料挤压强化主要是形成位错密度很高的胞状结构.
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T EM observations indicate that the dislocation density is very low in the ELO reg ion.
透射电子显微镜的观测表明在ELO范围内位错密度很低.
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The increase of cooling rate results in the increase of dislocation density and twin quantity.
随冷却速率的增大,位错密度增大,孪晶数量增多.
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另外电子风力也会促进被阻塞在沉淀相粒子处的位错团的移动,从而促进了晶内位错的增殖,提高了位错密度。
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透射电子显微镜 ( TEM ) 的研究结果表明,横向外延区域GaN的位错密度明显减小.
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热加工时,位错密度大大增加,使碳出现偏聚,增加了奥氏体不均匀的程度,促进粒状珠光体的形成。
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