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器件在25mA驱动电流下,出纤功率可达330μW,在155Mb/s速率下,探测器双工灵敏度可达-30dBm,器件光串音优于-22dB。
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LED结温高低直接影响到LED出光效率、器件寿命、可靠性、发射波长等。
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本文利用低混杂波电流驱动的准线性理论模型,研究了由于磁场的随机涨落而引起的快电子的反常输运对驱动电流分布和驱动效率的影响。
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传统LD驱动电源通常采用电流参数预定输入的方式,其只能输出给定脉宽、重复频率及峰值的驱动电流,这种方式注定其不能随工作环境的变化而做相应调节。
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该器件的驱动电流,击穿电压,跨导、增益和截止频率等性能指标明显优于传统LDMOS结构,而且工艺上仍可以与标准CMOS工艺兼容,工艺复杂度增加不大,阈值电压的设计也更加容易。
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LD的输出光功率大小及稳定性与驱动电流有关,同时,LD还易受浪涌电压而损坏,因此除使注入LD的电流保持恒定外,还应采取相应的保护措施。
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我们随后可用这些数值来调节驱动电流或电压,从而确保通量输出(或RGB系列LED的色彩输出)在可见范围之内。
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通过栅电荷曲线(VGS-QG),能导出器件的电容特性,驱动电流大小及能量损耗等相关参数。
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由于芯片工作中涉及较高电压和较大电流,电路采用BCD工艺(bipolar-CMOS-DMOS)实现,并对系统、电路和版图进行了优化。
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高效率的甲乙类输出级能提供轨对轨输出摆幅和高输出电流,由于电路具有特定拓扑结构的输出级,因而运算放大器能够工作在低电源电压状态下。
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通过实验证明,该电源驱动电流的1小时稳定性达到了0.019%,温度控制偏差达到了±0.01℃,各项指标均达到了预期的设计目标。
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三有源区激光器外微分量子效率达2.2,2A驱动电流下单面未镀膜激光输出功率高达2.5W。
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对于源漏和栅堆叠的器件,在高k栅介质和硅衬底间增加SiO2界面层,随着SiO2厚度的增加,驱动电流增加。
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将集成功率级LED与集成恒流源电路进行一体化混合集成工艺设计,保证了3~10W的集成LED在低于100mA的驱动电流下正常工作。
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CPLD实现对零序有功功率与给定功率进行比较以决定漏电保护电路的是否启动,并实现语音报警和与上位机串行通讯的功能。
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文章针对如何检测制动器的综合性能,设计了一个评价系统,可以计算出车轮的等效的转动惯量,也可计算出电动机的驱动电流。
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恒流源采用跟随浮压技术进行设计,使集成LED的工作电压在2~200V,恒定工作电流在10~100mA。
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当上皮细胞层受到破坏时,跨细胞层的离子流驱动电流流出,形成局部内源性电场。
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最后一里的宽带能否在一种不依赖现有的激励方式下发展-供应商趋向于压制创新的商业模式?
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