该材料的主要特性是在居里温度Tc以下呈现较强的NTC效应,而在Tc以上则表现为PTC效应。
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氧化钒薄膜由于具有高电阻温度系数(TCR),近年来被广泛应用于非制冷红外探测及红外成像领域。
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运算放大器推荐使用OP07系列,电路中的固定电阻温度系数要求优于50PPM;
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本文分析了非平衡电桥的测量原理及灵敏度,提出了一种测量电阻温度系数的方法,实测结果说明该方法是正确的。
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TaN薄膜具有宽电阻率、低电阻温度系数以及自钝化特性而被广泛应用于微波功率电阻器中。
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指出了选用具有大的电阻温度系数的膜电阻材料和优良的热绝缘结构(如桥式结构)是研制器件的关键。
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结果表明,适量的Ag掺杂对材料的室温电阻率(r)影响不大,并且还可以有效提高PTCR陶瓷的温度系数(aR)和耐电压(Vb)。
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然后用光刻和刻蚀的方法制作电学测试所需的图形。对于ITO薄膜的电学测试包括对其电阻温度系数和响应因子的测量两部分。
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电阻温度特性测试表明,退火后薄膜的电阻(R)和电阻温度系数(TCR)都明显增大。
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氧化钒薄膜作为非制冷红外探测器的热敏材料,要求具有高的电阻温度系数(TCR)与合适的电阻值,以满足器件的应用。
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阐明了制备具有高电阻率、低电阻温度系数、高应变灵敏系数、良好的热稳定性等优异综合性能的镍铬合金薄膜的新工艺发展趋势。
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通过制备具有高电阻温度系数(TCR)的氧化钒薄膜、掺氮氧化钒薄膜和黑金吸收层并利用微加工技术手段分别将它们集成在探测器上,提高了微测辐射热计的性能。
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与低氮含量Cr Si Ni N薄膜相比,高氮含量Cr Si Ni N薄膜的电阻值在热处理过程中变化较小、欲获得较小电阻温度系数(TCR)需要更高的退火温度。
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根据薄膜理论和工艺实验,采用直流磁控溅射技术对薄膜沉积的工艺参数进行了优化,获得了电阻温度系数TCR≤20×10-6/℃的锰铜薄膜,与块材接近,实现了锰铜压力传感器的薄膜化。
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实验测试结果表明,PI村底上的铂薄膜热敏电阻具备良好的线性度,其电阻温度系数接近于0.0023/℃。
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对两种方法制备薄膜的性能测试结果表明,其转换温度、相变滞豫、热电阻温度系数等都有较大差别。
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Thermal Coefficient of Resistance of Vanadium Oxide Film Formed by Ion-Beam-Enhanced Deposition
离子束增强沉积氧化钒薄膜的温度系数
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