可是,这种信号发生器的上限频率的提高受存储器的读取时间和数模转换器的转换速度的限制。
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本文提出了双栅双注入单管动态存储单元结构,该结构器件的工作基于势的变化,利用SOI的浮体效应,通过双注入来提高注入效率和减少读取时间。
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可是,这种信号发生器的上限频率的提高受存储器的读取时间和数模转换器的转换速度的限制。
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本文提出了双栅双注入单管动态存储单元结构,该结构器件的工作基于势的变化,利用SOI的浮体效应,通过双注入来提高注入效率和减少读取时间。
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