Reactive ion etching of polysilicon using SF6+ Ar reactive gas is investigated.
本文对以SF6+A r为反应气体的反应离子刻蚀(RIE)多晶硅工艺进行了研究。
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等离子与反应离子刻蚀终点的在线监测&光学反射法
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Effect of Gas Species on the Depth Reduction in Silicon Deep-Submicron Trench Reactive Ion Etching
在硅深-亚微米沟道反应离子刻蚀中气体成分对深度减小的影响
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软X射线聚焦波带片的研制包括光路设计、膜系设计、衬底选择、薄膜制备、亚微米光刻、X射线光刻、反应离子刻蚀、离子束刻蚀、电镀和化学腐蚀等多种微细加工技术。
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提出一种微透镜阵列复制的新方法反应离子束蚀刻法(RIBE)。
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