1、

Precipitation of oxygen and carbon in buk dislocation-free CZ Si annealed at450 ℃, 700 ℃ and 1050 ℃ has been studied using infrared absorption, X-ray topography, X-ray anomalous transmission, AES and HVTEM.

利用红外吸收、x射线形貌照相、x射线反常透射、俄歇电子能谱和高压透射电子显微镜研究了在450℃、700℃和1050℃热处理后无位错CZ-Si单晶中的氧、碳沉淀。

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