The characteristic analysis of thermal equilibrium point defects by positron annihilation
正电子湮没对热平衡点缺陷的特性分析
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中子辐照氢气区熔硅单晶退火行为的正电子湮没研究
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三嵌段共聚物SEBS中自由体积行为的温度及e~+辐照时间依赖性的研究
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Measurement of positron annihilation parameters in hydrogen float zoned silicon single crystals
氢气氛浮区硅单晶中正电子湮灭参数的测量
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导电聚合物聚醚聚氨酯的结构与导电性能的正电子湮没研究
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Positron annihilation study of voids in α-Al_2O_3 irradiated by high fluence fast neutrons
高注量快中子辐照在α-Al2O3中产生空洞的正电子湮没研究
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采用化学分析正电子湮没谱(PASCA)技术研究正电子素(o-Ps)在MoNi/Al2O3加氢催化剂上的反应动力学。
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The study of the bond type in MgH_2 and A1H_3 by positron annihilation
用正电子湮灭技术对MgH2和AlH3键型的探讨
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正电子对ZnO和GaN宽带隙半导体中缺陷的研究用正电子湮灭技术对MgH2和AlH3键型的探讨
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Study of the positron annihilation on solvent influence of thermoplastic elastomer SEBS
热塑弹性体SEBS中溶剂影响的正电子谱学研究
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由于化合物半导体在制备高温、高频、大功率和抗辐射IC器件中极具潜力,因此人们越来越多的利用正电子湮灭技术对化合物半导体进行缺陷研究。
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an investigation on the imperfect state is made by using positron annihilation technique.
并通过正电子湮没技术对该材料的缺陷作了研究;
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The vacancy defects of samples were measured by slow positron annihilation.
借助慢正电子湮没技术研究了样品的空位型缺陷.
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Magnetized water samples were measured by the positron annihilation lifetime spectrometer.
用正电子湮没寿命谱仪对经过磁场处理的水样品进行了对照测量.
网络文摘精选
退火纯铝(99.99%)在15%H2SO4中于不同电解条件下进行阳极氧化,然后测其正电子湮没寿命谱,寿命谱拟合为三个寿命成份,指认第二寿命成分为e~+在氧化膜中的湮没。
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Magnetic annealing induced anisotropy and properties of positron annihilation in metallic cobalt
金属钴的磁场冷却感生各向异性与正电子湮没特性
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