功率密度对中频磁控溅射制备的氧化锌镓薄膜性能的影响
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主要内容和创新点如下:Ⅰ.以纯铜靶和氮气为原料,采用反应射频磁控溅射法在玻璃基底上成功制备了氮化铜纳米薄膜。
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采用直流磁控溅射法,分别用ITO陶瓷靶、In-Sn合金靶,在玻璃基片上镀膜。
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阐述用磁控溅射技术制备综合性能优良的ZAO透明导电薄膜及其靶材的发展现状和趋势。
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磁控溅射带电粒子的运动分布以及靶面刻蚀形貌的研究
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根据薄膜理论和工艺实验,采用直流磁控溅射技术对薄膜沉积的工艺参数进行了优化,获得了电阻温度系数TCR≤20×10-6/℃的锰铜薄膜,与块材接近,实现了锰铜压力传感器的薄膜化。
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此外,该微波高温管式反应器还包含了阳极电源、灯丝电源、电气系统以及磁控管和电器元件的冷却系统。
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研究了直流磁控反应溅射制备三元化合物CdIn2O4薄膜(简称CIO膜)的光电性质和温差电动势,及其反应气体中氧浓度和退火处理对CIO膜性质的影响。
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射频等离子体增强非平衡磁控溅射沉积技术分析过程冗长,不利于生产质控。
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鉴于磁控溅射作为一种高速、低温、低损伤的十分有效的薄膜沉积方法,我们选择射频反应磁控溅射法制备A1203薄膜,从理论和实验上研究了Al203薄膜的制备和性能。
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磁控溅射法制备SiO2膜传统上采用射频溅射工艺,但它成本较高,效率较低,无法充分满足大面积镀膜工业生产的需要。
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为了使磁控管能稳定工作,就要使预振电压低于门槛电压,并且使空间电荷振荡的模式与谐振腔上高频振荡的π模同步。
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Experiment and Design for Reducing the front Time Jitter of Coaxial Magnetron
降低同轴磁控管前沿抖动的实验与工程设计
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评论了近年来制备薄膜阴极的方法,包括化学酸基溶解法、溶胶-凝胶法、激光焙烧法、增强型等离子体化学气相淀积法、脉冲激光法、电子束喷射沉积法和射频磁控溅射法。
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靶电流对非平衡磁控溅射制备无氢碳膜结构与性能的影响
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