在密度泛函理论框架下的局域密度近似方法(LDA)能够准确地给出广延态电子体系的基态电子结构,是研究复杂体系的电子结构的一种非常成功的方法。
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我们首先运用原子团模型研究了稀磁半导体GaN掺Cr((Ga,Cr)N)的局域电子结构和磁性。
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在密度泛函理论框架下的局域密度近似方法(LDA)能够准确地给出广延态电子体系的基态电子结构,是研究复杂体系的电子结构的一种非常成功的方法。
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