Preparation of Transparent Conductive In_2O_3 Films by Reactive Evaporation from an Indium Source
应用铟源的反应蒸发制备In2O3透明导电膜
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Research for Technique of Large-area Indium-Tin Oxide Film by Magnetron Reactive Sputtering Method
磁控反应溅射制备大面积掺锡氧化铟薄膜工艺探讨
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在此条件下,锌的浸出率为99.13%,铟的浸出率为90.06%,铁的浸出率为12.38%。
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氧化铟、银纳米材料的制备及其在氯酚和汞离子检测方面的应用
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对铟晶体作具体计算,得到了定容热容量和弹性模量随温度、压强的变化关系式。
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本文叙述了摩擦涂敷铟封工艺,报导了用这种工艺封接的He-Ne激光管、标准脉冲氙灯及玻璃与铜、玻璃与不锈钢、石英与铝等的封接技术。
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The method can be used to trap trace indium in water samples and zinc concentrate.
该法对水样,锌精矿中的痕量锢的测定,收到很好的效果。
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混合胶束对铟(Ⅲ)-邻氯苯基荧光酮显色反应的影响及其作用机理的研究
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The results are satisfactory for the microdetermination of indium in pure lead and tin.
试用于纯铅和锡中微量铟的测定,结果尚称满意。
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掺杂碱性金属氧化物MgO和La2O3能够显著提高乙醇的灵敏度,同时使异丁烷的灵敏度有所降低;
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利用上述反应拟定了测定铟的方法,经过适当处理,可用于锡箔和铅挖样中微量铟的测定。
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Indium Phosphide ( InP) has been indispensable to both optical and electronic devices.
磷化铟(InP)已成为光电器件和微电子器件不可或缺的重要半导体材料。
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采用分子膜层层组装的原理,选用亲合素作为DNA固定的第一层介质膜,第二层核酸膜通过层层静电吸附的方法固定到氧化铟锡(ITO)电极表面,制备出核酸传感器界面。
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由于钼元素参与镓、铟和铊的原子化反应,从而改变了原子化机理,提高了原子化效率。
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以99.7%的粗铟为原料,提出了采用真空蒸馏&区域熔炼联合的方法来制备高纯金属铟。
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分别采用1-丁基-2,3-二甲基咪唑四苯基硼酸盐离子液体的高温热解法和乙二醇为溶剂的溶剂热法制备得到锑和铟掺杂的氧化锡纳米粉体,采用多种测试方法对粉体进行了表征。
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