用开管水平液相外延系统从富Te溶剂中生长了不同x值的MCT薄膜。
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研究了高温缓冲层厚度、外延层的生长速率以及富Zn环境对ZnO薄膜生长的影响,优化了生长工艺参数。
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应用闭管化学气相输运方法在CdSe衬底(0001)和(0001)面上制备了Hg(1-x)Cd xSe外延膜。
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A Three-phase Rectifier Bridge Switch Module Based on Fast Recovery Epitaxial Diodes
二极管整流放大伏特计三相超快恢复二极管整流桥开关模块
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三探针测试硅外延片中雪崩击穿时耗尽层宽度的面接触模型
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并通过拉曼散射,扫描电镜、反射高能电子衍射对实验结果进行了检测分析,在(100)面同质外延的金刚石单晶膜上观察到了螺旋生长的现象。
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本文报道了GaAs常γ电调变容管材料的研究。
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MOCVD用高压汞灯对n-GaN处延层进行了辐照湿法化学刻蚀研究,这种外延层是在A12O3衬底上用MOCVD方法生长的。
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Epitaxial Growth and Structure Characterization of SiC Film and Fabrication of Graphene
碳化硅薄膜的外延生长、结构表征及石墨烯的制备
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Void defect of molecular beam epitaxial HgCdTe layer grown on GaAs substrate
分子束外延碲镉汞薄膜中VOID缺陷的研究
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Epitaxial Growth of Single Crystalline Aluminum Nitride Films by Reactive Evaporation
Si衬底上用反应蒸发法制备AlN单晶薄膜
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固相外延CoSi2薄膜作为扩散源形成n~+p浅结技术研究
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材料生长过程的计算机模拟和仿真是当今国际公认的制造科学与材料科学的前沿领域之一,而相场法是一种用于描述非平衡态下复杂相界面演变的强有力工具。
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characterization of hg 1-x cd x te epitaxial films on various vicinal planes
不同邻晶面Hg(1-x)Cd xTe外延薄膜的特性分析
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GB/T14141-1993硅处延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法
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