But the deposition rate and quality of a-Si: H was primarily affected by preparation methods.
但是a-Si:H的沉积速率和品质很大程度上受到制备工艺的影响。
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pH<0.5时,沉积速度过快,晶核成长速度快,晶粒粒度较大,镀层表面粗糙、发黑,表面质量差。
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The deposition rate is dropped as pressure in the reaction chamber is increased.
沉积速率随着反应室工作压力的增加而下降。
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获得沉积速率对激光功率P的依赖关系,在一定的温度条件下,阈值功率为4W。
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当功率过高时,离子的轰击作用导致薄膜的沉积速率降低。
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在较高温度下,反应速率随混合气体中MTS含量的增大而增大,总沉积速率受质量传输控制。
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制备aSi∶H薄膜时,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率。
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The process is stable, and the deposition rate can attain 4.5 mg/ ( cm2 · h).
该工艺稳定,沉积速度可达4.5mg/(cm2·h)。
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实验研究的结果显示,硫脲及无水乙酸钠浓度对转化镀液的沉积速度和稳定性都有显著的影响,影响作用次之的是次亚磷酸钠、乳酸、醋酸铅、镍离子的浓度。
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同时还讨论了反应温度和氯化物浓度对金属沉积速度的影响。
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为提高微波等离子体化学气相沉积(MP-CVD)金刚石膜的面积和沉积速率,我们成功研制了5kW水冷不锈钢反应腔式MP-CVD装置。
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第Ⅱ阶段属于低速率成核阶段,同时薄膜与基片之间的错配应力得以进一步释放;
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飞灰复燃提高了顶墙和前墙的颗粒沉积速率,降低了后墙颗粒沉积速率,而对锅炉前后拱的影响很小可以忽略。
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探讨了表面活性剂和极性有机物、光谱曲线变化、沉铜速率3者之间的内在联系及相互作用机理。
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采用在基片附近局域供氧,可以实现高溅射速率下制备出高硬度的氧化铬薄膜。
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研究结果表明,向等离子体中导入CH4,SiC/C薄膜沉积速度增大,薄膜中C含量增加,薄膜断面呈现柱状结构。
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