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数值计算结果表明:抛物量子线中强耦合极化子的基态能量Eo随约束强度ω0的增强而增大,而随电场强度F和量子线长Z的增大而单调减小。
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文章介绍阴极射线发光分析方法的基本原理及其在GaN,SiC,ZnO和量子线等新材料研究中的应用实例。
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likewise, we discuss the stark shift is related to both the electric field and the quantum sizes.
还讨论了在两种极限下,电场方位和量子线尺寸对Stark效应的影响。
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V形槽量子线制备工艺简单,具有优良的界面,因而存在着极大的器件应用潜力,吸引了众多研究者的注意。
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electron-phonon interaction energies of polaron in cylindrical quantum wires
柱形量子线中极化子的电子与LO声子之间相互作用能
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electronic transport properties in quantum wires made up of gaas and algaas
GaAs与AlGaAs构成的量子线中的电子输运特性
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低维半导体GaAs圆形和矩型量子线的能带结构
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电沉积法制备纳米线Cu/Al2O3复合材料及其光吸收特性
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intensity of the spectra for raman scattering properties of raman scattering of zno
Raman散射线的强度CVD法制备的ZnO纳米线喇曼散射谱的特征
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以壳聚糖包被Fe纳米线,以戊二醛为交联剂对壳聚糖表面进行醛基化,制备磁性纳米线/壳聚糖复合体,并对其形成机理进行了探讨。
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[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线的制备和磁性能研究
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fabrication of gan nanowires by ammoniating ga_2o_3/ tio_2/ si films
氨化Ga2O3/TiO2/Si薄膜制备GaN纳米线
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ZnO纳米线双绝缘层结构电致发光器件制备及特性研究
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which indicates si ( 100) substrate controls growing orientation of zno nanowires array.
得出了Si(100)衬底对ZnO纳米线生长方向具有控制作用的结论。
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