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a 1.36 ev band bending in surface region is induced by these empty surface states.
空表面态引起n型样品表面能带发生1.36eV弯曲。
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固体C(60)/Si异质结的电学表征&整流特性、能带模型与温偏效应
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"我能带点什么东西去吗?"如果不是每人都要带一道菜的聚餐,主人可能会回答:"不,你来就可以了。"
中考真题- 2016 包头 阅读C
study on the energy band for macromolecular crystal with c_n symmetry i. calculating method
具有C n对称性的大分子的能带结构研究Ⅰ.计算方法
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the dark - brown vascular coat of the eye between the sclera and the retina.
脉络膜眼睛巩膜和视网膜之间深褐色的血管网
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采用线性变换方法可以简单地处理平面波展开方法中ε-1(r)的Fourier变换系数,使得相应的带隙计算变得简单有效。
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首次明确提出了谐振型微波光子晶体结构的概念,研究了它的带隙形成机理,总结了这种微波光子晶体不同于普通Bragg型微波光子晶体的一些独特的特点。
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最后讨论了折射率(n)、折射率调制幅度(△n)、周期长度(D)及周期数(N)对光子带隙的影响。
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因此本文主要工作是设计一个低压低功耗的CMOS带隙基准电压源。
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金属离子掺杂明显增强TiO2纳米晶簇的光吸收。TiO2带隙发生红移。
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获得的SiO2光子晶体具有长程有序结构,并在近红外区具有显著的光子频率带隙。
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到目前为止空芯光纤大体上可分为两种结构,分别是Bragg光纤和光子带隙型光纤,它们都是利用光子带隙的机理来束缚光在空气芯中传输。
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文章介绍了一种利用Bipolar管的电流增益随温度呈指数型变化的规律,对带隙基准进行温度补偿的指数型温度补偿技术。
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Mn掺杂导致了ZnO晶格常数和光学带隙的增加,并且诱导了微结构的无序性。
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the effect of rotation on te and tm mode band gaps and absolute band gap is investigated.
讨论了三种旋转操作对TE,TM模式带隙及完全光子禁带的影响。
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同时,带隙基准电压源电路的结构简单,可靠性较高,可以用标准CMOS工艺实现,适宜于大规模生产,目前已成为CMOS集成电路当中最流行的一种基准电压产生器。
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